英伟达高管二度探访三星天安，HBM3E内存供应冲刺

近日，韩国媒体FNnews报道了一则关于英伟达与三星电子合作的最新动态。据悉，英伟达的高管在3月10日亲自到访了三星电子位于天安的封装工厂，此行的主要目的是对即将推出的第五代高带宽内存HBM3E进行审计和测试。
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据三星电子的规划，他们计划在今年第一季度末向主要客户供应HBM3E的8层产品，并努力在上半年内完成12层产品的交付。面对紧迫的交货期限，三星电子甚至从研发下一代HBM4的团队中抽调部分人力，全力投入到HBM3E项目中，以确保供应的顺利进行。此次英伟达高管的到访，被视作HBM3E供应进入冲刺阶段的重要标志。

报道中提到，这并非英伟达高管首次访问三星电子的天安工厂。早在2024年12月，他们就已进行过实地考察。而此次访问，英伟达特别关注了HBM3E的封装工艺，这进一步彰显了英伟达对产品质量的高度重视。

三星电子会长李在镕也曾于2023年视察过位于天安的封装生产线，这显示了三星电子对封装技术的重视和投入。如今，为了提升HBM3E的良率和稳定性，三星电子不仅调动了原本专注于HBM4研发的团队，还在不断优化先进DRAM的良率，以确保产品的顺利交付。